又一個國產(chǎn)DDR4內(nèi)存要來了 19nm工藝

2019年中合肥長鑫率先量產(chǎn)了自研的DDR4內(nèi)存芯片，現(xiàn)在國產(chǎn)內(nèi)存也越來越多，全球第一大NOR閃存供應(yīng)商兆易創(chuàng)新日前透露，他們的DDR4內(nèi)存今年上半年問世。

在投資者交流會上，有人問到了兆易創(chuàng)新自研的DDR內(nèi)存情況，該公司回應(yīng)稱，自有品牌的內(nèi)存將在這個季度問世，首發(fā)的產(chǎn)品是DDR4內(nèi)存，19nm工藝。

不過這個內(nèi)存應(yīng)該不會出現(xiàn)在PC零售市場，主要是面向消費電子、IPTV等應(yīng)用。

需要注意的是，雖然提問者問的是自研的DDR芯片，但兆易創(chuàng)新回應(yīng)的是自有品牌內(nèi)存，所以這個19nm的DDR4內(nèi)存很有可能之前大單采購長鑫的DDR4芯片，兆易創(chuàng)新自己做的內(nèi)存模組。

當然，兆易創(chuàng)新也在研發(fā)自己的內(nèi)存芯片，2019年底就募資33億用于內(nèi)存研發(fā)，他們還公布了內(nèi)存研發(fā)的路線圖，如下所示：

·2020年，兆易創(chuàng)新將啟動首款DRAM芯片產(chǎn)品定義，包括市場定位、產(chǎn)品規(guī)格及芯片設(shè)計工藝。

·2020年，兆易創(chuàng)新將定義首款芯片的生產(chǎn)職稱，并將經(jīng)過驗證后的設(shè)計開展流片試樣，反復(fù)修改直至通過系統(tǒng)驗證。

·2021年，對首款芯片試樣進行封裝測試，并送交系統(tǒng)芯片商進行功能認證，并最終通過客戶驗證。

·2021年，首款芯片通過驗證之后進行小批量生產(chǎn)，測試成功后進行大批量生產(chǎn)。

·2022-2025年，進行新系列芯片研發(fā)及量產(chǎn)。